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规格书 |
SDP06S60, SDT06S60 |
文档 |
Multiple Devices 10/Jun/2010 |
Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 0V, 1MHz |
Current - Average Rectified (Io) | 6A (DC) |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 600V |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-220-2 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Supplier Device Package | PG-TO220-2 |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
包装宽度 | 4.4 |
最大连续正向电流 | 6 |
包装高度 | 9.2 |
安装 | Through Hole |
工作结温度 | -55 to 175 |
峰值反向重复电压 | 600 |
峰值反向电流 | 200 |
峰值不重复浪涌电流 | 21.5 |
标签 | Tab |
峰值正向电压 | 1.7 |
PCB | 2 |
包装长度 | 9.9 |
最低工作温度 | -55 |
配置 | Single |
类型 | Schottky Diode |
引脚数 | 2 |
最大功率耗散 | 57600 |
封装 | Tube |
电流 - Vr时反向漏电 | 200µA @ 600V |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.7V @ 6A |
电压 - ( Vr)(最大) | 600V |
热阻 | 2.6°C/W Jc |
电容@ Vr ,F | 300pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 | PG-TO220-2 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 500 |
电流 - 平均整流(Io ) | 6A (DC) |
封装/外壳 | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品种类 | Schottky Diodes & Rectifiers |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
正向连续电流 | 6 A |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
正向电压下降 | 1.7 V |
峰值反向电压 | 600 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
封装/外壳 | TO-220 |
零件号别名 | SDT06S60XK |
最大浪涌电流 | 21.5 A |
associated | SK 409/254 STS SK 409/508 STS SK 145/375 STS-220 MK3311 MK3306 MK3306/S |
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